镓、铟、或铝掺杂单晶硅

摘要

本发明揭露一种掺杂单晶硅，具有沿着纵向轴及/或径向轴少于10%的电阻率改变，以及用在制备一个或一系列连续掺杂硅晶体的方法。该方法包含提供一种含有硅的熔化物材料到连续柴克劳司基晶体成长装置、传送掺杂物(如镓、铟、或铝)到该熔化物材料、当该熔化物材料处于熔融态的时候提供种晶到该熔化物材料中、并通过将该种晶从该熔化物材料中抽出成长掺杂单晶硅。在该成长步骤期间提供额外的熔化物材料至该装置。本发明并揭露一种掺杂模型，用来计算将在一个或多个掺杂事件中被传送到该熔化物材料掺杂物的总量、传送该掺杂物的方法、以及用在传送该掺杂物的导管及容器。

主权项

一种制备至少一个掺杂单晶硅的方法，其包括：(a)提供包括硅的熔化物材料到连续柴克劳司基晶体成长装置；(b)传送掺杂物到该熔化物材料，其中，该掺杂物是镓、铟、或铝；(c)提供种晶到该熔化物材料中，其中，该熔化物材料处于熔融态；以及(d)通过将该种晶从该熔化物材料中抽出而成长掺杂单晶硅，其中，在该成长步骤期间提供额外的熔化物材料到该晶体成长装置，其中，该方法包括采用一种掺杂模型，用来预测该晶体成长装置的内成长室的熔化物中的掺杂浓度，其中，该掺杂模型预测一段时间内从该熔化物材料中该掺杂物的蒸发量。