一种标称高度10μm-100μm台阶高度标准样块的制备方法

摘要

本发明公开了一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，属于台阶仪校准技术领域。本发明包括如下步骤：采用双面抛光的硅晶圆片作为衬底材料；在硅晶圆片表面生长氧化层；在氧化层表面涂光刻胶；曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；去除透光区的光刻胶；使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶掩蔽的台阶区域的氧化层刻蚀掉；使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片，对没有光刻胶掩蔽的台阶区域的硅晶圆片进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；去除光刻胶；湿法刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求；在硅晶圆片表面溅射金属保护层，制得所要的标准样块。本发明能准确控制台阶高度，满足作为标准样块的要求，且成本低。

主权项

一种标称高度10μm‑100μm台阶高度标准样块的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）采用双面抛光的硅晶圆片（1）作为衬底材料，清洗、干燥；（2）在硅晶圆片（1）表面生长氧化层（2）；（3）在氧化层（2）表面涂光刻胶（3），烘烤；（4）通过深紫外光曝光，其中掩膜版为负版，图形区域为透光区；（5）在碱溶液中显影，去除透光区的光刻胶（3），然后烘烤；（6）使用反应离子刻蚀机进行刻蚀，将没有光刻胶（3）掩蔽的台阶区域的氧化层（2）刻蚀掉；（7）使用深反应离子刻蚀机刻蚀硅晶圆片（1），对没有光刻胶（3）掩蔽的台阶区域的硅晶圆片（1）进行刻蚀，刻蚀深度小于要制备的标准样块的标称高度；（8）使用丙酮溶液去除光刻胶（3）；（9）湿法刻蚀：对没有氧化层掩蔽的台阶区域的硅晶圆片（1）继续进行刻蚀，刻蚀深度达到标称高度要求，刻蚀结束，清洗硅片；（10）在硅晶圆片（1）表面溅射金属保护层（4），制得所要的标准样块。