一种多晶硅铸锭半融工艺

摘要

本发明属于硅的生长制造技术领域，具体涉及一种多晶硅铸锭半融工艺。所述工艺包括以下步骤：(1)装入多晶硅料抽真空后，加热；(2)熔化阶段：在1545～1560℃范围内保温7‑9h，缓慢提升隔热笼5‑7cm，直到硅料剩余3‑4cm，进行熔化过程的第一次跳步操作，完成跳步后需要使得硅液继续缓慢熔化，待硅料剩余2‑3cm时进行第二次跳步操作，保证跳步后继续缓慢熔化1‑2cm；(3)长晶阶段；(4)退火；(5)降温阶段。通过该工艺得到的铸锭中位错密度显著降低，晶粒大小均匀；在现有成熟电池工艺条件下，可得到的平均电池效率为18.47％。

主权项

一种多晶硅铸锭半融工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)装入多晶硅料抽真空后，加热；(2)熔化阶段：在1545～1560℃范围内保温7‑9h，缓慢提升隔热笼5‑7cm，直到硅料剩余3‑4cm，进行熔化过程的第一次跳步操作，完成跳步后需要使得硅液继续缓慢熔化，待硅料剩余2‑3cm时进行第二次跳步操作，保证跳步后继续缓慢熔化1‑2cm；(3)长晶阶段；(4)退火；(5)降温阶段。