六晶体管SRAM半导体结构及制造方法

摘要

说明了用于SRAM集成电路的基于晶闸管的两晶体管存储器单元连同制造它的过程。存储器单元可以在MOS与双极型选择晶体管的不同组合中或者在没有选择晶体管的情况下实施，晶闸管在具有浅槽隔离的半导体衬底中。标准CMOS工艺技术可以用于制造该SRAM。

主权项

一种用于形成双极型SRAM存储器单元的第一部分的方法，所述第一部分具有第一交叉耦合双极型晶体管对和用于从位线和字线存取所述第一交叉耦合双极型晶体管对的存取晶体管，所述方法包括：将相反导电类型掺杂剂引入到具有上表面的第一导电类型衬底中，从而限定位于所述衬底的上表面下方的相反导电类型的第一区域[掩埋N型阱]；形成延伸到所述衬底中至所述第一区域的、由绝缘材料构成的外围区域[STI]，以限定所述衬底的凹室，所述衬底的凹室与所述衬底的围绕区电隔离；将第一导电类型掺杂剂引入到所述凹室中，以限定用于双极型晶体管的第一导电类型阱区[P型阱]；将相反导电类型掺杂剂引入到所述凹室的第一部分中，以限定用于双极型晶体管的相反导电类型阱区[浅N型阱]；形成间隔开的第一栅极隔离层和第二栅极隔离层并将第一栅极电极和第二栅极电极叠盖在所述凹室的相应的间隔开的区域上方，并且在相同的过程中形成第三栅极隔离层并将第三栅极电极叠盖在所述凹室之外；使用所述第一栅极电极、所述第二栅极电极和所述第三栅极电极作为掩膜，将另外的第一导电类型掺杂剂和相反导电类型掺杂剂引入到所述凹室中，以限定用于所述第一交叉耦合双极型晶体管对的发射极区和集电极区、和在所述凹室之外的用于所述存取晶体管的至少两个有源区；以及形成电连接以进行以下连接：将字线连接到所述存取晶体管的所述有源区中的一个有源区；将第一位线连接到所述存取晶体管的所述有源区中的另一个有源区；以及将所述存取晶体管的另一个区域连接到在所述第一交叉耦合晶体管对之间的连接。