基于PECVD的石墨烯薄膜镀膜设备及方法

摘要

本发明公开一种基于PECVD的石墨烯镀膜设备及方法，其设备包括直线式排列的多个真空室和柔性基材输送机构，柔性基材输送机构贯穿于多个真空室中；多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室，各镀膜室内分别设有射频对靶装置，多个镀膜室内的射频对靶装置组成一个等离子体增强化学气相沉积系统，任意相邻两个镀膜室之间设有隔气室，放卷室、收卷室、各镀膜室和各隔气室分别外接高真空排气系统。其方法是先对各真空室进行抽真空，直至真空度达到预定值；然后放卷室放出柔性基材并送入各镀膜室，采用PECVD法在柔性基材表面沉积石墨烯薄膜；最后送入收卷室进行收卷。本发明镀膜均匀，制得的柔性基材表面膜层纯度较高。

主权项

基于PECVD的石墨烯镀膜设备，其特征在于，包括直线式排列的多个真空室和柔性基材输送机构，柔性基材输送机构贯穿于多个真空室中；多个真空室包括依次连接的放卷室、多个镀膜室和收卷室，各镀膜室内分别设有射频对靶装置，多个镀膜室内的射频对靶装置组成一个等离子体增强化学气相沉积系统，任意相邻两个镀膜室之间设有隔气室，放卷室、收卷室、各镀膜室和各隔气室分别外接高真空排气系统。