| 发明名称 |
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
반도체 소자 제조방법이 개시된다. 본 방법은, 제1 반도체층을 마련하는 단계, 제1 반도체층 상에 기 설정된 폭을 갖는 마스크층을 형성하여 제1 반도체층을 건식 식각하는 단계, 제1 반도체층의 폭이 마스크층의 폭보다 작은 폭을 갖도록 건식 식각된 제1 반도체층의 측면을 습식 식각하는 단계, 마스크층을 제거하는 단계, 건식 식각 및 습식 식각에 의해 제1 반도체층이 제거된 부분에 기 설정된 높이의 절연층을 형성하는 단계, 제1 반도체층을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계 및 트렌치를 메꾸고, 트렌치의 폭보다 넓은 컨텍 영역을 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. |
| 申请公布号 |
KR20160114922(A) |
申请公布日期 |
2016.10.06 |
| 申请号 |
KR20150041413 |
申请日期 |
2015.03.25 |
| 申请人 |
KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION |
发明人 |
LEE, JUNG HEE;KANG, HEE SUNG;KIM, LYUN HUI;JO, YOUNG WOO;SON, DONG HYEOK |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3063;H01L21/3065;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/778 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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