| 摘要 |
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）トランスデューサの形成において使用することができる、１つ又は複数のキャビティ（１０６）を備える半導体構造を形成する方法は、第１の基板（１００）に１つ又は複数のキャビティを形成するステップと、１つ又は複数のキャビティ内部に犠牲材料（１１０）を設けるステップと、第１の基板の表面上に第２の基板（１２０）を接合するステップと、第１の基板の一部を貫いて犠牲材料まで１つ又は複数の開口（１４０）を形成するステップと、１つ又は複数のキャビティ内部から犠牲材料を除去するステップと、を含む。構造及びデバイスがそのような方法を使用して作製される。【選択図】図１１ |
