发明名称 METHOD FOR CREATING CONTACTS IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
摘要 기술들은 도전성 엘리먼트들을 전기적으로 연결시키고/연결시키거나 전류 확산을 위한, 마이크로칩들, 태양 막들 등을 위한 콘택트들을 생성하기 위한 방법을 포함한다. 여기서의 실시예들은 하위층과 상위층 사이에 위치한 오버사이즈화된 “보드” 또는 콘택트 어레이를 이용하는 것을 포함한다. 이 콘택트 어레이는 블록 공중합체들의 유도 자가 조립(DSA)에 의해 생성된다. 하위층과 상위층은 라인들과 같은 도전성 구조물들을 가질 수 있다. 오버사이즈화된 보드는 수 백 개, 수 천 개, 수 백만 개 (등)의 작은 도전성 콘택트 실린더들, 라인들, 또는 다른 수직적 구조물들로 구성될 수 있으며, 이들 각각의 도전성 구조물은 어레이에서 인접한 도전성 구조물들로부터 전기적으로 격리된다. 상위 레벨 상의 라인과 하위 레벨 상의 라인의 교차 장소는 이 교차 장소에 위치한 다중 도전성 구조물들과 연결된다.
申请公布号 KR20160115975(A) 申请公布日期 2016.10.06
申请号 KR20167024152 申请日期 2015.02.19
申请人 TOKYO ELECTRON LIMITED 发明人 DEVILLIERS ANTON J.
分类号 H01L21/768;H01L21/02;H01L21/311;H01L23/522;H01L23/532 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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