发明名称 |
光電子集積回路 |
摘要 |
量子井戸中の量子ドット(QW中のQD)構造からオフセット下少なくとも1つの変調ドープ量子井戸(QW)構造)を含む複数の層を支持する基板を含む半導体デバイス。変調ドープQW構造は、スペーサー層により少なくとも1つのQWから離間した電荷シートを含む。QW中のQD構造が、1つ又は複数のQWに埋め込まれたQDを有する。QW中のQD構造は、バリア層により離間した少なくとも1つのテンプレート/エミッションサブ構造対を含むことができ、テンプレートサブ構造が有するQDのサイズは、エミッションサブ構造より小さい。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2016531415(A) |
申请公布日期 |
2016.10.06 |
申请号 |
JP20160521457 |
申请日期 |
2014.06.11 |
申请人 |
オペル ソーラー,インコーポレイティド;ザ ユニバーシティ オブ コネティカット |
发明人 |
ジェフ ダブリュ.テイラー |
分类号 |
H01L29/06;G02B6/12;G02B6/125;G02F1/025;H01L21/331;H01L21/338;H01L21/822;H01L21/8222;H01L21/8232;H01L27/06;H01L27/095;H01L27/15;H01L29/732;H01L29/778;H01L29/812;H01L31/10;H01S5/026;H01S5/183;H01S5/343 |
主分类号 |
H01L29/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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