| 摘要 |
적어도 하나의 일반적인 태양에서, SiC 디바이스는 제1 전도형의 드리프트 영역, 차폐 바디, 및 쇼트키 영역을 포함할 수 있다. SiC 디바이스는 차폐 바디 및 쇼트키 영역을 적어도 부분적으로 둘러싸는 제2 전도형을 갖는 림을 포함할 수 있다. SiC 디바이스는, 림을 적어도 부분적으로 둘러싸며 제2 전도형의 도핑을 갖는 종단 영역을 포함할 수 있다. 종단 영역은, 제1 구역과 제2 구역 사이에 배치된 전이 구역을 가질 수 있고, 여기서 제1 구역은 제2 구역의 상부 표면의 깊이보다 깊이가 더 낮은 상부 표면을 갖고, 전이 구역은 리세스를 갖는다. |
