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Das Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Wafers umfaßt: einen ersten Wärmebehandlungsschritt zur Durchführung einer RTP-Behandlung auf dem Silicium-Wafer in einer oxidierenden Atmosphäre, einen Schritt zur Entfernung eines Bereiches im Silicium-Wafer, worin eine Sauerstoffkonzentration sich in dem ersten Wärmebehandlungsschritt erhöht, einen zweiten Wärmebehandlungsschritt zur Durchführung einer RTP-Behandlung nach Durchführung dieses Entfernungsschrittes mit dem Silicium-Wafer in einer Nitrier-Atmosphäre oder einer Ar-Atmosphäre und einen Schritt zur Entfernung eines Bereiches in dem Silicium-Wafer nach Durchführen des zweiten Wärmebehandlungsschrittes, worin eine Sauerstoffkonzentration in dem zweiten Wärmebehandlungsschritt sich vermindert. Dieses Verfahren ermöglicht die Herstellung eines Silicium-Wafers, bei dem latente Defekte wie OSF-Kerne und Sauerstoffpräzipitatkerne, die in einem Pv-Bereich existieren, zerstört oder vermindert werden, und der eine Getterstelle hat. |
