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SiC单晶片的微弧放电微细切割方法，其特征在于，所采用的切割装置结构如下：包括床身(1)、导管(11)和脉冲电源箱(14)，床身(1)上安装有线锯系统和机床工作台，机床工作台上安装有SiC单晶棒，所述导管(11)的一端通过液压泵(20)与电解液箱(17)连接，导管(11)的另一端位于SiC单晶棒(24)与线锯系统切割处的上方；所述脉冲电源箱(14)的正极与SiC单晶棒(24)的一端相连，脉冲电源箱(14)的负极与线锯系统中的线锯(10)相连；所述导管(11)的另一端安装有喷头，导管上安装有流量计(12)；所述床身(1)上表面设置有导流槽，导流槽与排水管(16)的一端相连，排水管(16)的另一端通向所述电解液箱(17)；电解液箱(17)内部设置有过滤网(18)；具体按照以下步骤实施：步骤1、使机床工作台运动至SiC单晶棒(24)与线锯(10)之间的距离为100微米‑150微米的位置处；步骤2、在电解液箱(17)中装入碱性电解液，使碱性电解液经过导管(11)由喷嘴喷到线锯(10)和SiC单晶棒(24)所处切割处的上方；使旋转轴带动SiC单晶棒(24)进行旋转，并打开脉冲电源箱(14)，在脉冲电流电场的作用下，SiC单晶棒(24)和线锯(10)之间的碱性电解液发生电解生成氧气并形成氧气膜；步骤3、调节脉冲电源箱(14)使步骤2中形成的氧气膜两端的电场强度至峰值电流300‑500A、电流脉冲宽1000μs‑3000μs，SiC单 晶棒表层在脉冲电场的作用下完成切割。 |
