一种TN型阵列基板及其制作方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种TN型阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，解决了现有技术中制作阵列基板曝光次数多、生产周期长、成本高的问题。一种TN型阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层以及透明导电层的步骤，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括数据线，所述透明导电层包括：像素电极；其中，形成所述第二金属层和所述透明导电层具体包括：在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；利用一次构图工艺，形成TFT沟道区、透明导电层和第二金属层。本发明适用于显示装置的制造领域。

主权项

一种TN型阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层、栅绝缘层、有源层、第二金属层以及透明导电层的步骤，其中，所述第一金属层包括栅极，所述第二金属层包括数据线，所述透明导电层包括：像素电极；其特征在于，形成所述第二金属层和所述透明导电层具体包括：在基板上依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；利用一次构图工艺，形成TFT沟道区、透明导电层和第二金属层；所述一次构图工艺包括：半色调掩膜板工艺和光刻胶回流工艺；利用一次构图工艺，形成TFT沟道区域、透明导电层和第二金属层具体包括：在制作有透明导电薄膜和第二金属薄膜的基板上，涂布光刻胶；采用半色调掩膜板进行曝光，对曝光后的基板进行显影和刻蚀形成TFT沟道区域；采用光刻胶回流技术使光刻胶覆盖所述TFT沟道区域；对光刻胶进行灰化工艺，并形成透明导电层；去除剩余部分的光刻胶，形成第二金属层；所述第二金属层包括数据线但不包括源漏极，相应的，所述透明导电层包括像素电极、源漏极，以及位于所述第二金属层下方的部分。