应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造

摘要

本发明公开一种应用于半导体元件工艺中的平坦化方法以及栅极构造。该方法包括：提供上方具有包括多晶硅假栅极与介电层的栅极构造的基板；去除多晶硅假栅极而形成沟槽；形成栅极阻障层于沟槽中；形成栅极金属层于栅极阻障层的表面上并填满沟槽；利用第一反应剂来对栅极金属层进行第一平坦化工艺，用以除去部分的栅极金属层，第一反应剂对栅极金属层的蚀刻速率大于对栅极阻障层的蚀刻速率；利用第二反应剂来对栅极阻障层与栅极金属层进行第二平坦化工艺，用以除去部分的栅极阻障层与栅极金属层，第二反应剂对栅极阻障层的蚀刻速率大于对栅极金属层的蚀刻速率。

主权项

一种平坦化方法，应用于半导体元件工艺中，该方法包括下列步骤：提供基板；于该基板上形成介电层，其中该介电层中具有沟槽；于该沟槽中依序形成栅极介电层、阻障层与金属层，其中该栅极介电层仅形成于该沟槽中；利用第一反应剂来对该金属层进行第一平坦化工艺，用以除去部分的该金属层而露出该阻障层，其中该第一反应剂对该金属层的蚀刻速率大于对该阻障层的蚀刻速率；以及利用第二反应剂来对该阻障层与该金属层进行第二平坦化工艺，用以除去部分的该阻障层与该金属层而露出该介电层，其中该第二反应剂对该阻障层的蚀刻速率大于对该金属层的蚀刻速率，其中该第一反应剂与该第二反应剂中皆包括有氧化剂，该第一反应剂的氧化剂浓度低于该第二反应剂中的氧化剂浓度。