| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供第一基底，在所述第一基底表面形成第一焊垫；在所述第一焊垫侧壁表面形成第一侧墙；提供第二基底，在所述第二基底表面形成第二焊垫；在所述第二焊垫侧壁表面形成第二侧墙；在第二焊垫表面形成第三焊垫；将第二基底与第一基底进行键合，使第一焊垫、第三焊垫和第二焊垫形成共晶键合。上述方法可以提高形成的半导体结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105990165A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510053554.2 | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 伏广才;宣荣峰 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供第一基底，在所述第一基底表面形成第一焊垫；在所述第一焊垫侧壁表面形成第一侧墙；提供第二基底，在所述第二基底表面形成第二焊垫；在所述第二焊垫侧壁表面形成第二侧墙；在第二焊垫表面形成第三焊垫；将第二基底与第一基底进行键合，使第一焊垫、第三焊垫和第二焊垫形成共晶键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||