| 发明名称 | CMOS图像传感器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器及其形成方法。其中，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的光电转换元件和CMOS器件层；覆盖所述半导体衬底、光电转换元件和CMOS器件层的层间介质层；位于所述层间介质层上的金属间介质层，所述金属间介质层内具有金属互连层；其特征在于，还包括：位于所述光电转换元件上方的通孔，所述通孔贯穿所述金属间介质层和至少部分厚度的所述层间介质层；密封所述通孔顶部开口的透明基板；位于所述透明基板上的滤色层。所述CMOS图像传感器的光响应灵敏度提高。 | ||
| 申请公布号 | CN105990377A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510046868.X | 申请日期 | 2015.01.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李磊;彭坤;赵连国;王海莲;霍燕丽;呼翔;黄鹏 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴圳添;骆苏华 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的光电转换元件和CMOS器件层；覆盖所述半导体衬底、光电转换元件和CMOS器件层的层间介质层；位于所述层间介质层上的金属间介质层，所述金属间介质层内具有金属互连层；其特征在于，还包括：位于所述光电转换元件上方的通孔，所述通孔贯穿所述金属间介质层和至少部分厚度的所述层间介质层；密封所述通孔顶部开口的透明基板；位于所述透明基板上的滤色层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||