发明名称 MIM电容器及其形成方法
摘要 本发明一些实施例提供了一种封装件,封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括:底部电极,底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触;位于底部电极上方的绝缘体;以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层,聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电材料层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。
申请公布号 CN105990263A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201510453961.2 申请日期 2015.07.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨庆荣;黄章斌;杜贤明;蔡豪益;李明机;梁世纬;赖昱嘉
分类号 H01L23/28(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/28(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;李伟
主权项 一种封装件,包括:无机介电层;电容器,包括:底部电极,所述底部电极的顶面与所述无机介电层的顶面接触;绝缘体,位于所述底部电极上方;和顶部电极,位于所述绝缘体上方;以及第一聚合物层,覆盖所述电容器,其中,所述第一聚合物层接触所述无机介电材料层的顶面,所述第一聚合物层的部分与所述电容器共平面并且环绕所述电容器。
地址 中国台湾新竹