一种低电阻沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其自对准工艺

摘要

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种低电阻沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管及其自对准工艺。本发明的低电阻沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管包含：基底，在其上依次设置有外延层、P-型阱、N+型阱，在所述外延层、P-型阱、N+型阱中具有作为栅极的沟槽型栅极掺杂多晶硅，所述N+型阱上方具有中间层电介质，所述中间层电介质上方具有金属，所述金属与中间层电介质之间具有接触器，其中，所述栅极多晶硅上方具有与所述接触器接触的难熔金属硅化物WSI。为了降低栅极电阻，本发明在多晶硅上沉积WSI，增加沟槽中多晶硅的导通面积，由于WSI的阻值比多晶硅的阻值更低，因此本发明的沟槽的栅极阻值会比正常工艺中的栅极阻值有大幅降低。

主权项

一种低电阻沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管，包含：基底，在其上依次设置有外延层、P‑型阱、N+型阱，在所述外延层、P‑型阱、N+型阱中具有作为栅极的沟槽型栅极掺杂多晶硅，所述N+型阱上方具有中间层电介质，所述中间层电介质上方具有金属，所述金属与中间层电介质之间具有接触器，其中，所述栅极多晶硅上方具有与所述接触器接触的难熔金属硅化物WSI。