| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成栅极；在叠层及栅极上形成覆盖层；刻蚀栅极侧面的覆盖层及第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；进行氧化工艺，以填充空腔；去除覆盖层；进行器件的后续加工。本发明实现了类SOI衬底，并在其上形成器件，具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN105990213A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510047719.5 | 申请日期 | 2015.01.29 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 唐兆云;徐烨锋;唐波;王红丽;许静;李春龙;杨萌萌;闫江 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成栅极；在叠层及栅极上形成覆盖层；刻蚀栅极侧面的覆盖层及第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔进行腐蚀去除第一半导体层，以形成空腔；进行氧化工艺，以填充空腔；去除覆盖层；进行器件的后续加工。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||