| 发明名称 | 一种对掩膜进行处理的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种对掩膜进行处理的方法，用于消除掩膜经过修补后出现的污染物，其在掩膜进行一定次数的修补后，用氧等离子体清洗所述掩膜。本发明提供的对掩膜进行处理的方法，用于去除28nm掩膜经过修补后出现的污染物，其通过用氧等离子体提清洗所述掩膜来去除掩膜在掩膜经过修补后出现的污染物，从而使掩膜可以修补更多的次数，提高掩膜的使用次数，降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105990102A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510053594.7 | 申请日期 | 2015.02.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 施维 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种对掩膜进行处理的方法，用于消除掩膜经过修补后出现的污染物，其特征在于，在掩膜进行一定次数的修补后，用氧等离子体清洗所述掩膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||