半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。在一实施例中，制造半导体元件的方法包括提供一基板。方法更包括于基板上形成具有第一高度的阵列区、具有大于第一高度的第二高度的周围区、及分隔阵列区与周围区的边界区。方法更包括形成多个交替的绝缘及导电层于阵列区及边界区的至少一部分之上。方法更包括于边界区的至少一部分中通过多个交替的绝缘及导电层形成沟道，沟道具有倾斜侧壁。

主权项

一种制造半导体元件的方法，该方法包括：提供一基板；形成一阵列区、一周围区、及一边界区于该基板上，该阵列区具有一第一高度，该周围区具有大于该第一高度的一第二高度，该边界区分隔该阵列区与该周围区；形成多个交替的绝缘层及导电层于该阵列区及该边界区的至少一部分之上；以及形成一沟道，该沟道是于该边界区的至少一部分中通过这些交替的绝缘层及导电层，该沟道具有多个倾斜侧壁。