半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含硅基板、保护层、焊垫、绝缘层、布线层、导电层、阻隔层与导电结构。硅基板具有镂空区、阶梯结构、尖角结构与相对的第一表面与第二表面。阶梯结构与尖角结构环绕镂空区。阶梯结构具有朝向镂空区且依续连接的第一斜面、第三表面与第二斜面。保护层位于硅基板的第一表面上。焊垫位于保护层中，且从镂空区裸露。绝缘层位于阶梯结构的第一斜面、第三表面、第二斜面与第二表面上及尖角结构上。布线层位于绝缘层上与焊垫上。导电层位于布线层上。阻隔层覆盖阶梯结构与尖角结构。导电结构位于阻隔层的开口中的导电层上。本发明能提升半导体结构的良率，且能提高材料选用的便利性。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包含：一硅基板，具有一镂空区、一阶梯结构、一尖角结构与相对的一第一表面与一第二表面，其中该阶梯结构与该尖角结构环绕该镂空区，该阶梯结构具有朝向该镂空区且依续连接的一第一斜面、一第三表面与一第二斜面；一保护层，位于该硅基板的该第一表面上；一焊垫，位于该保护层中，且从该镂空区裸露；一绝缘层，位于该阶梯结构的该第一斜面、该第三表面、该第二斜面与该第二表面上及该尖角结构上；一布线层，位于该绝缘层上与该焊垫上；一导电层，位于该布线层上；一阻隔层，覆盖该阶梯结构与该尖角结构，且该阻隔层具有一开口，使该导电层裸露；以及一导电结构，位于该开口中的该导电层上。