| 发明名称 | 在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。该方法能够促进Ge衬底和GaAs外延薄膜之间的反相畴自湮灭，提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。 | ||
| 申请公布号 | CN105986321A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510082868.5 | 申请日期 | 2015.02.16 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明人 | 贾少鹏;何巍;陆书龙 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人 | 孙伟峰 |
| 主权项 | 一种在Ge衬底上生长GaAs外延薄膜的方法，其特征在于，包括步骤：S101、选取Ge衬底置于反应腔室中；S102、在所述Ge衬底上生长一As原子层；S103、在所述As原子层上生长一GaAs缓冲层，对所述GaAs缓冲层反复进行退火工艺，直至由RHEED观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述GaAs缓冲层上生长GaAs外延薄膜。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号 | ||