发明名称 半导体发光元件及其制作方法
摘要 本发明提供一种半导体发光元件及其制作方法。其半导体发光元件,包括基板、至少一配置于基板上的发光单元、至少覆盖发光单元的上表面的荧光层以及配置于基板上并环绕发光单元的反射层。一种半导体发光元件的制作方法亦被提出。本发明提供的半导体发光元件的反射层可以遮蔽发光单元自侧表面所发出的光束,进而使半导体发光元件可以发出具有良好质量的光。本发明同时提供的半导体发光元件的制作方法在以荧光层以及反射层封装发光单元时会遮蔽发光单元的侧表面,进而做出可以发出良好质量的光的半导体发光元件。
申请公布号 CN105990505A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201610157182.2 申请日期 2016.03.18
申请人 新世纪光电股份有限公司 发明人 洪钦华;林育锋;洪政暐;李皓钧;詹勋贤
分类号 H01L33/60(2010.01)I 主分类号 H01L33/60(2010.01)I
代理机构 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人 马雯雯;臧建明
主权项 一种半导体发光元件,其特征在于,包括:一基板;至少一发光单元,配置于所述基板上;一荧光层,至少覆盖所述发光单元的上表面:以及一反射层,配置于所述基板上并环绕所述发光单元。
地址 中国台湾台南市南部科学工业园区大利三路5号