发明名称 一种电子电容电路及其控制方法
摘要 本发明公开了一种电子电容电路及其控制方法,所述电子电容电路包括:充放电回路、PWM控制电路和驱动电路,充放电回路包括四个IGBT与限流电感和电子电容,PWM控制电路输出一路PWM波形经驱动电路后接第一IGBT和第四IGBT的门控级,控制第一IGBT和第四IGBT的通断,PWM控制电路输出的一路PWM波形还连接一反相器,再经驱动电路后接第二IGBT和第三IGBT的门控级,控制第二IGBT和第三IGBT的通断。该发明能将大量取代某些场合大电容,节约经济成本,大大提高了生产的安全性能,有良好的经济效益。
申请公布号 CN103904884B 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201410098703.2 申请日期 2014.03.14
申请人 华南理工大学 发明人 康龙云;黄志臻;魏业文;齐如军;冯自成
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 何淑珍
主权项 一种电子电容电路,其特征在于包括充放电回路、PWM控制电路和驱动电路;充放电回路包括四个IGBT与限流电感(L1)和电子电容(C1),四个IGBT分别是第一IGBT(VT1)、第二IGBT(VT2)、第三IGBT(VT3)和第四IGBT(VT4),每个IGBT的内部均反并联着一个二极管,分别是第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、第三二极管(VD3)和第四二极管(VD4);PWM控制电路输出一路PWM波形经驱动电路后接第一IGBT和第四IGBT的门控级,控制第一IGBT和第四IGBT的通断,PWM控制电路输出的一路PWM波形还连接一反相器,再经驱动电路后接第二IGBT和第三IGBT的门控级,控制第二IGBT和第三IGBT的通断;第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT的门控极均接有一路PWM波形,这四路PWM波形两两相同,第一IGBT和第四IGBT门控极所接入的PWM波形相同,第二IGBT和第三IGBT门控极所接入的PWM波形相同;第一IGBT的集电极、第二IGBT的发射极和限流电感的负端连接;第一IGBT的发射极、第三IGBT的发射极和电子电容(C1)的正端连接;第三IGBT的集电极、第四IGBT的发射极和电源的负端连接;第二IGBT的集电极、第四IGBT的集电极、电子电容(C1)的负端连接;从限流电感的正端和第三IGBT的集电极各引出一根线作为电子电容电路的两端。
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