| 发明名称 | 纳米线场效应晶体管（FET）器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及一种纳米线场效应晶体管(FET)器件及其制造方法。该纳米线FET器件包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区中的每一个均在块体半导体衬底的上表面上形成。栅极区被插入第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间，并且直接地位于块体半导体衬底的上表面上。仅仅在栅极区中形成多条纳米线。所述纳米线被悬置于半导体衬底上方并限定纳米线FET器件的栅极沟道。栅极结构包括在栅极区中形成的栅极电极，以使得所述栅极电极接触每条纳米线的整个表面。 | ||
| 申请公布号 | CN105990415A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610151526.9 | 申请日期 | 2016.03.16 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 张慎明;M·A·圭罗恩;I·劳尔;J·W·斯莱特 |
| 分类号 | H01L29/775(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L29/775(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 酆迅;庞淑敏 |
| 主权项 | 一种制造纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：在第一类型半导体材料的块体衬底上面形成多个鳍部；邻近所述多个鳍部的底部部分，形成第二半导体类型材料的外延半导体区，所述第二半导体类型材料不同于所述第一半导体类型材料；执行退火从而将所述第二类型半导体材料直接地冷凝在所述多个鳍部下面；以及相对于所述第一类型半导体材料选择性地去除所述第二类型半导体材料，以从所述多个鳍部形成多条纳米线，所述多条纳米线被悬置于所述块体衬底上方。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||