| 发明名称 | 一种高压PMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种高压PMOS，所述的高压PMOS的漂移区由低压NMOS的P阱和高压NMOS的P型体区共同形成。本发明还提供了一种高压PMOS的制造方法包括：先在形成深N阱的P型衬底上，实施有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区；于前述有源区生成N阱后，于前述N阱上实施P阱光刻,注入形成低压NMOS的P阱；以及于前述P阱上实施P型体区光刻,注入形成高压NMOS的P型体区，前述的低压NMOS的P阱以及高压NMOS的P型体区形成高压PMOS的漂移区。 | ||
| 申请公布号 | CN105990109A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510070470.X | 申请日期 | 2015.02.11 |
| 申请人 | 帝奥微电子有限公司 | 发明人 | 吕宇强;倪胜中 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人 | 袁辉 |
| 主权项 | 一种高压PMOS，其特征在于，所述的高压PMOS的漂移区由低压NMOS的P阱和高压NMOS的P型体区共同形成。 | ||
| 地址 | 201103 上海市闵行区合川路2679号虹桥国际商务广场3号楼603 | ||