金属插塞的形成方法和NAND闪存的形成方法

摘要

一种金属插塞的形成方法和NAND闪存的形成方法。所述金属插塞的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成呈矩阵排列的多个圆形通孔；在所述圆形通孔中形成第一金属柱；去除所述牺牲层；在所述第一金属柱的侧面形成侧墙，所述侧墙厚度的两倍大于同一行中相邻两个圆形通孔之间的距离，所述侧墙厚度的两倍大于同一列中相邻两个圆形通孔之间的距离；在所述侧墙之间的所述半导体衬底上形成第二金属柱。所述形成方法通过在第一金属柱之间增加形成第二金属柱，能够形成密集排列的金属插塞阵列，由于不需要使用两次掩膜版，因此不存在套刻精度问题，简化了工艺，降低了成本。

主权项

一种金属插塞的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层中形成呈矩阵排列的多个圆形通孔；在所述圆形通孔中形成第一金属柱；去除所述牺牲层；在所述第一金属柱的侧面形成侧墙，所述侧墙厚度的两倍大于同一行中相邻两个圆形通孔之间的距离，所述侧墙厚度的两倍大于同一列中相邻两个圆形通孔之间的距离；在所述侧墙之间的所述半导体衬底上形成第二金属柱；所述侧墙的厚度为T，所述圆形通孔的直径为R，同一行中相邻两个所述第一金属柱之间的距离为Dr，同一列中相邻两个所述第一金属柱之间的距离为Dc，其中