发明名称 |
传送发光二极管的方法 |
摘要 |
描述一种微发光二极管(LED)和一种形成用于向接收衬底传送的微LED阵列的方法。微LED结构可以包括微p‑n二极管和金属化层,而金属化层在微p‑n二极管与键合层之间。保形电介质屏障层可以跨越微p‑n二极管的侧壁。可以拾取并且向接收衬底传送微LED结构和微LED阵列。 |
申请公布号 |
CN104106132B |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201280066486.8 |
申请日期 |
2012.11.08 |
申请人 |
苹果公司 |
发明人 |
A·拜布尔;J·A·希金森;H-F·S·劳;胡馨华 |
分类号 |
H01L21/677(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H05K13/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/677(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;陈颖 |
主权项 |
一种向接收衬底传送微LED的方法,包括:将传送头置于载体衬底之上,所述载体衬底具有设置于其上的微LED结构阵列,每个微LED结构包括:微p‑n二极管,包括顶表面和底表面;金属化层,其中所述金属化层在所述微p‑n二极管与在所述载体衬底上的键合层之间;以及保形电介质屏障层,跨越所述微p‑n二极管的侧壁,跨越所述微p‑n二极管的所述底表面的一部分,跨越所述金属化层的侧壁,并且跨越所述键合层的与所述金属化层相邻的部分;执行操作以在所述键合层中创建针对所述微LED结构中的至少一个微LED结构的相变;用所述传送头拾取用于所述微LED结构之一的所述微p‑n二极管、所述金属化层和所述保形电介质屏障层;并且在接收衬底上放置用于所述微LED结构的所述微p‑n二极管、所述金属化层和所述保形电介质屏障层。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |