| 发明名称 | 半导体器件的接触结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的接触结构。一种用于半导体器件的接触结构的示例性结构包括：衬底，包括主面和主面下方的沟槽；填充沟槽的应变材料，应变材料的晶格常数不同于衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于应变材料上方的开口，开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于开口的侧壁和底部上；介电层，位于半导体层上方；以及填充介电层开口的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN103811550B | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201310034600.5 | 申请日期 | 2013.01.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王菘豊;时定康;林经祥;孙诗平;万幸仁 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件的接触结构，包括：衬底，包括主面和位于所述主面下方的沟槽；应变材料，填充所述沟槽，所述应变材料的晶格常数不同于所述衬底的晶格常数；层间介电层(ILD)，具有位于所述应变材料上方的开口，所述开口包括介电侧壁和应变材料底部；半导体层，位于所述开口的侧壁和底部上；介电层，位于所述半导体层上方，所述介电层具有导电能力；以及金属层，填充所述介电层的开口。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||