| 发明名称 | 肖特基型垂直纳米线阵列太阳能电池的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基型垂直纳米线阵列太阳能电池的制作方法，该方法包括：采用金属催化剂在重掺杂的单晶基底上通过分子外延的方法生长垂直半导体纳米线阵列；在所述垂直半导体纳米线阵列上制作接触所述金属催化剂的透明导电层；其中，所述单晶基底为背电极，所述透明导电层为顶电极，所述垂直半导体纳米线阵列为光吸收层及减反射层。采用本发明可以实现以简单工艺低成本制作高转化效率太阳能电池的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN105990466A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510055914.2 | 申请日期 | 2015.02.03 |
| 申请人 | 香港城市大学深圳研究院 | 发明人 | 何颂贤;韩宁 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 王天尧 |
| 主权项 | 一种肖特基型垂直纳米线阵列太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：采用金属催化剂在重掺杂的单晶基底上通过分子外延的方法生长垂直半导体纳米线阵列；在所述垂直半导体纳米线阵列上制作接触所述金属催化剂的透明导电层；其中，所述单晶基底为背电极，所述透明导电层为顶电极，所述垂直半导体纳米线阵列为光吸收层及减反射层。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区高新区南区粤兴一道8号 | ||