隔离结构及具有其的非挥发性存储器的制造方法

摘要

本发明公开一种隔离结构及具有其的非挥发性存储器的制造方法。该隔离结构的制造方法，适用于非挥发性存储器的制作工艺中。此方法是提供基底，并于基底上依序形成介电层、导体层及硬掩模层。图案化硬掩模层及导体层，而形成暴露出介电层的第一沟槽。在基底上形成第一衬层。移除第一沟槽所暴露的第一衬层及介电层，以暴露基底。在导体层及硬掩模层的侧壁形成间隙壁。以具有间隙壁的导体层及硬掩模层为掩模，移除部分基底，以形成第二沟槽。之后在第二沟槽中形成一隔离层，其中导体层之间的间距大于第二沟槽的宽度。

主权项

一种隔离结构的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上依序形成一介电层、一导体层及一硬掩模层；图案化该硬掩模层及该导体层，而形成暴露出该介电层的一第一沟槽；在该基底上形成一第一衬层；移除该第一沟槽所暴露的该第一衬层及该介电层，以暴露该基底，而于该导体层及该硬掩模层的侧壁形成一间隙壁；以具有该间隙壁的该导体层及该硬掩模层为掩模，移除部分该基底，以形成一第二沟槽；以及在该第二沟槽中形成一隔离层，该导体层之间的间距大于该第二沟槽的宽度。