具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法，其中，提供数种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。在一具体实施例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构。形成间隔体于该临时栅极结构四周。移除该帽盖与该间隔体的一部分。沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板。该方法移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极以形成栅极沟槽。然后，在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。

主权项

一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体表面上方形成包含栅极及帽盖的临时栅极结构；形成间隔体于该栅极四周；移除该帽盖以及该间隔体的一部分以定义该栅极的暴露表面；在该栅极的该暴露表面上沉积均匀衬板；在该均匀衬板上方沉积第一绝缘体；平坦化该第一绝缘体至该均匀衬板；使经平坦化的该第一绝缘体凹陷；沉积第二绝缘体于该已凹陷的第一绝缘体上方；平坦化该第二绝缘体至该均匀衬板；移除覆于该栅极上的该均匀衬板的一部分以及该栅极，以形成栅极沟槽；以及在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。