| 发明名称 | 化学气相沉积装置与基片处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供化学气相沉积装置与基片处理方法。其中的化学气相沉积装置，包括：具有内部空间的反应室；与所述反应室的所述内部空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；具有排气通道的排气装置；可上下移动的清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部；弹性元件，位于支持部与排气装置之间。利用上述装置或方法，可较简便地对排气装置的排气通道进行清洁，进而保证沉积的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN105986242A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510083853.0 | 申请日期 | 2015.02.16 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 姜银鑫;杜志游 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 化学气相沉积装置，包括：具有内部空间的反应室；与所述内部空间连通的进气装置，用于允许处理气体进入；具有排气通道的排气装置；可上下移动的清洁元件，所述清洁元件包括设置于排气装置上方的支持部以及位于支持部与排气装置之间的清洁部；弹性元件，位于支持部与排气装置之间，所述弹性元件与所述清洁元件可联动。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||