| 发明名称 | SOI基片的制作方法和SOI基片 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种SOI基片的制作方法和SOI基片，其中，SOI基片的制作方法，包括：在硅衬底的一侧上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第二氧化层，以形成所述SOI基片的结构层；采用化学机械平坦化工艺研磨所述硅衬底的另一侧至预定厚度以形成所述SOI基片。通过本发明的技术方案，避免了相关技术中SOI基片制作过程中的顶层硅淀积步骤，降低了SOI基片生成的难度和制作成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105990215A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510093343.1 | 申请日期 | 2015.03.02 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 杜蕾 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种SOI基片的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底的一侧上形成第一氧化层；在所述第一氧化层上形成第二氧化层，以形成所述SOI基片的结构层；采用化学机械平坦化工艺研磨所述硅衬底的另一侧至预定厚度以形成所述SOI基片。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||