存储元件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种存储元件及其制造方法。该存储元件包括多个堆叠结构、多个第一阶梯状接触窗以及多个第二阶梯状接触窗。多个堆叠结构于第一方向延伸，且包括第一半导体层与第二半导体层，其中第二半导体层位于第一半导体层上方。多个第一阶梯状接触窗于第二方向延伸，其底面电性连接第i+1个堆叠结构与第i+2个堆叠结构的第一半导体层，其中i为奇数。多个第二阶梯状接触窗于第二方向延伸，其底面电性连接第i个堆叠结构与第i+1个堆叠结构的第二半导体层。第一方向与第二方向不同。

主权项

一种存储元件的制造方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底包括多个第一区块与多个第二区块，该些第一区块与该些第二区块相互交替，每一第一区块包括两个第一区与一第二区，该第二区位于所述两个第一区之间；在该些第一区块与该些第二区块上的该基底上形成多个堆叠结构，每一堆叠结构在一第一方向延伸，其包括：一第一半导体层，位于部分该基底上；以及一第二半导体层，位于该第一半导体层上方；在每一第一区的该基底上形成多个字线，每一字线在一第二方向延伸，覆盖各该些堆叠结构的部分侧面与部分顶面，该第一方向与该第二方向不同；在该些堆叠结构与该些字线之间形成一电荷储存层；移除该些第二区块上的部分该些堆叠结构，以裸露出该些第一半导体层；于该些第二区块中形成多个第一阶梯状接触窗，每一第一阶梯状接触窗的底面电性连接第i+1个堆叠结构与第i+2个堆叠结构的该些第一半导体层，且每一第一阶梯状接触窗的顶面的面积小于其底面的面积，其中i为奇数；于该些第二区中形成多个第二阶梯状接触窗，每一梯状第二接触窗的底面电性连接第i个堆叠结构与该第i+1个堆叠结构的该些第二半导体层，且每一第二阶梯状接触窗的顶面的面积小于其底面的面积；以及在该基底上形成相互交替的多个第一导线与多个第二导线，每一第一导线在该第一方向延伸，与该第i+1个堆叠结构与该第i+2个堆叠结构的该些第一半导体层电性连接的该些第一阶梯状接触窗的顶面电性连接，每一第二导线在该第一方向延伸，与该第i个堆叠结构与该第i+1个堆叠结构的该些第二半导体层电性连接的该些第二阶梯状接触窗的顶面电性连接。