| 发明名称 | 一种SRAM及其制造方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种SRAM及其制造方法、电子装置，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有非对称结构，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有鳍片，在鳍片的两端形成有隔离结构；在鳍片的一端形成第一凹槽的同时，在鳍片的另一端形成第二凹槽，第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度；在第一凹槽中形成第一外延材料层的同时，在第二凹槽中形成第二外延材料层；在鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。根据本发明，在不改变PU、PD和PG的数量关系的前提下，可以有效提升所述SRAM的静态噪声容限和写容限。 | ||
| 申请公布号 | CN105990349A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510086335.4 | 申请日期 | 2015.02.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张弓;肖德元 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种SRAM的制造方法，所述SRAM包括至少一PG晶体管，其中所述PG晶体管的源区和漏区具有非对称结构，所述PG晶体管的制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有鳍片(201)，在所述鳍片的两端形成有隔离结构(200)；在所述鳍片的一端形成第一凹槽(204)的同时，在所述鳍片的另一端形成第二凹槽(205)，所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度；在所述第一凹槽中形成第一外延材料层(206)的同时，在所述第二凹槽中形成第二外延材料层(207)；在所述鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||