异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

一异质结太阳能电池包含掺杂型半导体基板、第一非晶半导体缓冲层、第一非晶半导体层、第二非晶半导体缓冲层、第二非晶半导体层、边缘保护层、第一透明导电层及第二透明导电层。第一非晶半导体缓冲层包覆掺杂型半导体基板的第一表面与侧壁。第一非晶半导体层包覆第一非晶半导体缓冲层。第二非晶半导体缓冲层包覆第二表面。第二非晶半导体层包覆第二非晶半导体缓冲层。边缘保护层包覆第一非晶半导体层的边缘。第一透明导电层包覆第一非晶半导体层。第二透明导电层包覆于第二非晶半导体层。

主权项

一种异质结太阳能电池，包含：一掺杂型半导体基板，具有一第一表面、一第二表面以及一侧壁，所述第一表面与所述第二表面相对地设置，所述侧壁连结所述第一表面与所述第二表面；一第一非晶半导体缓冲层，设置在所述掺杂型半导体基板的所述第一表面上，并包覆住部份的所述侧壁；一第一非晶半导体层，设置在所述第一非晶半导体缓冲层的表面，并掺杂有一第一型半导体；一第二非晶半导体缓冲层，设置在所述掺杂型半导体基板的所述第二表面；一第二非晶半导体层，设置在所述第二非晶半导体缓冲层的表面，且所述第二非晶半导体层掺杂有一第二型半导体；一边缘保护层，设置在所述第一非晶半导体层的周围；一第一透明导电层，设置在所述第一非晶半导体层的表面；以及一第二透明导电层，设置在所述第二非晶半导体层上，其中所述第一透明导电层与所述第二透明导电层之间经由所述边缘保护层绝缘。