具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构

摘要

本发明是一种具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，包括A金属层、A扩散阻挡层、B金属层、B扩散阻挡层、C金属层、接触金属层、衬底、正面图形，其中A金属层上是A扩散阻挡层；A扩散阻挡层上是金属层；B金属层上是B扩散阻挡层；B扩散阻挡层上是C金属层；C金属层上是接触金属层；接触金属层上是衬底；衬底上提供的是正面图形。优点：有效阻挡芯片烧结时焊料向芯片背面金属中，接触层中以及正面源漏金属中的扩散；有利于芯片散热，提高芯片寿命以及性能；避免焊料扩散到与背面金属层相连的正面金属层中，提高器件的可靠性；避免背面金属向焊料中的扩散；可应用于背面金属烧结时的扩散控制、非常规芯片中的非背面金属烧结层。

主权项

具有双层或多层插入层的砷化镓芯片背面金属的结构，其特征是包括A金属层（1）上是A金属扩散阻挡层（2）；A金属扩散阻挡层（2）上是B金属层(3)；B金属层(3)上是B金属扩散阻挡层（4）；B金属扩散阻挡层（4）上是C金属层（5）；C金属层（5）上是接触金属层（6）；接触金属层（6）上是衬底（7）；衬底（7）上提供的是正面图形(8)；所述B金属扩散阻挡层（4），采用与A金属扩散阻挡层（2）一样的或不一样设计，B金属扩散阻挡层（4）总厚度30～500nm，子层厚度为10～50nm；所述的采用与A金属扩散阻挡层（2）不一样的设计是根据扩散金属的扩散能力，增加或减少对应的阻挡金属子层的厚度或种类。