半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

主权项

一种半导体器件，包括：第一栅极间隔件，其在衬底上限定第一沟槽，并且包括上部和下部；第二栅极间隔件，其在衬底上限定第二沟槽，并且包括上部和下部，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；第一栅极绝缘膜，其沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与所述第一栅极间隔件的上部接触；第二栅极绝缘膜，其沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与所述第二栅极间隔件的上部接触，从所述第二沟槽的底表面至所述第二栅极绝缘膜的最上面的部分的高度与从所述第一沟槽的底表面至所述第一栅极绝缘膜的最上面的部分的高度不同；第一栅电极，其包括所述第一栅极绝缘膜上的第一下导电膜和第一上导电膜，并且填充所述第一沟槽的至少一部分；以及第二栅电极，其包括所述第二栅极绝缘膜上的第二下导电膜和第二上导电膜，并且填充所述第二沟槽的至少一部分。