| 发明名称 | MIM电容器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明的MIM电容器及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，第一底层金属层与第二底层金属层形成下极板；选择性刻蚀介质层以及第二底层金属层，在介质层以及第二底层金属层中形成若干暴露出第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，顶层金属层填充沟槽，并覆盖介质层，顶层金属层形成上极板；去除沟槽所在区域内的顶层金属层以及第一底层金属层。本发明中，刻蚀介质层以及第二底层金属层，形成沟槽，顶层金属层填充沟槽，使得第一底层金属层与顶层金属层连接，将第一底层金属层与第二底层金属层中聚集的电荷通过顶层金属层释放掉，从而避免形成的MIM电容器中产生电弧放电缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN105990095A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510080421.4 | 申请日期 | 2015.02.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭海波;唐永进 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种MIM电容器的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，所述第一底层金属层与所述第二底层金属层用于形成MIM电容器的下极板；选择性刻蚀所述介质层以及所述第二底层金属层，在所述介质层以及所述第二底层金属层中形成若干暴露出所述第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，所述顶层金属层填充所述沟槽，并覆盖所述介质层，所述顶层金属层用于形成MIM电容器的上极板；去除沟槽所在区域内的所述顶层金属层以及所述第一底层金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||