一种半导体器件及其制造方法、电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，并依次蚀刻层间介电层和接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在接触孔的侧壁和底部形成阻挡层，并在接触孔中形成接触塞；回蚀刻接触塞和阻挡层，使接触塞的顶部低于层间介电层的顶部；平坦化层间介电层，使层间介电层的顶部与接触塞的顶部平齐或者低于接触塞的顶部。根据本发明，形成接触塞时，可以避免在层间介电层的上部出现凹坑缺陷，提高器件良率。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构外侧的半导体衬底中形成有源/漏区，在所述源/漏区的顶部形成有自对准硅化物；在所述半导体衬底上依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，覆盖所述栅极结构、所述侧壁结构和所述自对准硅化物；依次蚀刻所述层间介电层和所述接触孔蚀刻停止层，以形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部形成阻挡层，并在所述接触孔中形成接触塞；回蚀刻所述接触塞和所述阻挡层，使所述接触塞的顶部低于所述层间介电层的顶部；平坦化所述层间介电层，使所述层间介电层的顶部与所述接触塞的顶部平齐或者低于所述接触塞的顶部。