| 发明名称 | 合并式NP型晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种合并式NP型晶体管，其半导体结构包括半导体衬底、至少一个n型或p型的第一延长区、以及至少一个n型或p型中另一个的其它第二延长区，该第一与第二延长区交叉而使得该第一延长区与该第二延长区于共用区交会，并且各共用区上方有共享栅极结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105990447A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201610158165.0 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 臧辉;季明华 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体结构，其包含：半导体衬底；至少一个p型与n型其中一个的延长区；至少一个p型与n型中另一个的其它延长区；共用区，该共用区包含该至少一个延长区与该至少一个其它延长区的交会处；以及位在各共用区上方的共享栅极结构。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||