| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；形成第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的盖帽层、位于第一盖帽层表面的伪栅极，所述第一伪栅结构部分位于浅沟槽隔离结构表面，部分位于半导体衬底表面，所述第一盖帽层的材料包括掺硅氮化钛。上述方法可以提高所述半导体结构的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105990341A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510051480.9 | 申请日期 | 2015.01.30 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 何永根 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；形成第一伪栅结构，所述第一伪栅结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一盖帽层、位于第一盖帽层表面的第一伪栅极，所述第一伪栅结构部分位于浅沟槽隔离结构表面，部分位于半导体衬底表面，所述第一盖帽层的材料包括掺硅氮化钛。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||