| 发明名称 | 半导体装置的制造方法及积层体 | ||
| 摘要 | 本发明的实施方式提供能够确保生产性且以低成本进行半导体基板的薄化的半导体装置的制造方法及积层体。本实施方式的半导体装置的制造方法，在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成含有树脂的支撑体，在所述支撑体上形成导电膜，通过对第1面进行研削而使半导体基板的厚度变薄，去除支撑体及导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN105990125A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510977715.7 | 申请日期 | 2015.12.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 高野英治 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：在半导体基板中的与应研削的第1面为相反侧的第2面形成支撑体；在所述支撑体上形成导电膜；通过对所述第1面进行研削而使所述半导体基板的厚度变薄；及去除所述支撑体及所述导电膜，所述支撑体含有树脂。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||