| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层和位于所述介质层表面的浮栅材料层；依次刻蚀所述浮栅材料层、介质层和半导体衬底，形成若干凹槽，所述凹槽的底部位于半导体衬底内；对所述凹槽的内壁表面依次进行第一氧化处理、以及第一氧化处理之后的第二氧化处理，在所述凹槽内壁表面形成氧化层，所述第一氧化处理压强小于第二氧化处理的压强。上述可以提高闪存存储器的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105990249A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510089886.6 | 申请日期 | 2015.02.27 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层和位于所述介质层表面的浮栅材料层；依次刻蚀所述浮栅材料层、介质层和半导体衬底，形成若干凹槽，所述凹槽的底部位于半导体衬底内；对所述凹槽的内壁表面依次进行第一氧化处理、以及第一氧化处理之后的第二氧化处理，在所述凹槽内壁表面形成氧化层，所述第一氧化处理压强小于第二氧化处理的压强。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||