平板型ROM器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种平板型ROM器件的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上形成P阱；在P阱上形成光刻掩膜层并进行光刻形成的注入窗口；在形成的注入窗口进行P型离子的注入形成P型区；在形成的注入窗口进行N型离子的注入从而在P型区上形成N型区；形成栅氧化层以及多晶硅栅完成器件的制备。上述平板型ROM器件的制备方法，利用同一光刻掩膜层进行P型区以及N型区的制备，从而在原来器件中的N型区与P阱的界面处形成浓度高于P阱的P型区，增加了PN结势垒高度，进而减小了器件的源漏极漏电，缓解了穿通现象，提高了器件耐压。并且，制备过程中无需增加额外的隔离掩膜版就可以有效提高器件的耐击穿特性，节省了生产成本。

主权项

一种平板型ROM器件的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底上形成P阱；在所述P阱上形成光刻掩膜层并进行光刻形成注入窗口；利用所述光刻掩膜层在形成的注入窗口进行P型离子的注入形成P型区；利用所述光刻掩膜层在形成的注入窗口进行N型离子的注入从而在所述P型区上形成N型区；所述N型区包括第一N型区和第二N型区；所述第一N型区和所述第二N型区分别作为所述平板型ROM器件的源极、漏极；在形成的器件表面形成栅氧化层以及多晶硅栅完成器件的制备。