| 发明名称 | 功率器件的分压结构的制备方法和功率器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率器件的分压结构的制备方法和功率器件，其中，功率器件的分压结构的制备方法，包括：在晶圆片上形成外延层；在外延层上形成至少三个深结注入区；在至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的一个间隔区域形成P型浅结注入区，在至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的另一个间隔区域形成N型浅结注入区，其中，至少三个深结注入区的水平宽度小于P型浅结注入区的水平宽度，至少三个深结注入区的水平宽度小于N型浅结注入区的水平宽度。通过本发明的技术方案，可以消除表面氧化层的界面电荷对功率器件的分压结构的电势的影响，从而可以保证功率器件的分压结构的分压效果，进而提高功率器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105990153A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510096631.2 | 申请日期 | 2015.03.04 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 李理;马万里;赵圣哲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人 | 尚志峰;汪海屏 |
| 主权项 | 一种功率器件的分压结构的制备方法，其特征在于，包括：在晶圆片上形成外延层；在所述外延层上形成至少三个深结注入区；在所述至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的一个间隔区域形成P型浅结注入区，在所述至少三个深结注入区中的每两个相邻深结注入区形成的另一个间隔区域形成N型浅结注入区，其中，所述至少三个深结注入区的水平宽度小于所述P型浅结注入区的水平宽度，所述至少三个深结注入区的水平宽度小于所述N型浅结注入区的水平宽度。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 | ||