| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 具有：涂敷工序，在晶片(12)的表面涂敷含有溶媒的材料(14A)；挥发工序，对材料进行加热而使溶媒挥发；以及冲洗工序，在使晶片进行旋转的同时从第1喷嘴(20)向晶片的表面的外周部喷射对材料进行去除的边缘冲洗液，在冲洗工序中，从第2喷嘴(24)向晶片的背面喷射对晶片的背面进行清洗的背部冲洗液，使从第2喷嘴喷射的背部冲洗液绕至晶片的表面而将材料中的在俯视观察时与定位边或者凹坑接触的部分去除。 | ||
| 申请公布号 | CN105993061A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201480075475.5 | 申请日期 | 2014.02.13 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 久我正一 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：涂敷工序，在晶片的表面涂敷含有溶媒的材料；挥发工序，对所述材料进行加热而使所述溶媒挥发；以及冲洗工序，在使所述晶片旋转的同时从第1喷嘴向所述晶片的表面的外周部喷射对所述材料进行去除的边缘冲洗液。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||