| 摘要 |
본 발명은 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치는 선택 검증 동작과 순차 검증 동작으로 구성된 프로그램 검증 동작을 수행한다. 선택 검증 동작에 있어서, 데이터 입출력 회로는 저장된 데이터의 임시 프로그램 상태에 따라 해당 비트 라인을 선택적으로 프리차지한다. 순차 검증 동작에 있어서, 데이터 입출력 회로는 앞서 수행된 선택 검증 동작 또는 앞서 수행된 순차 검증 동작 결과에 따라 각각의 비트 라인을 선택적으로 프리차지한다. 본 발명의 실시 예에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 검증 방법에 따르면, 프로그램 검증을 필요로하지 않는 메모리 셀은 프로그램 검증 동작 시 프리차지 되지 않기 때문에 온 셀 전류가 흐르지 않을 것이다. 따라서, 공통 소스 라인으로 흐르는 전류를 감소시킬 수 있다. |
